MG30G6EL2
Производитель
Toshiba
Корпус
N/A
Упаковка
N/A
Количество в упаковке
N/A
Datasheet
MG30G6EL2 datasheetОписание
V(cbo): 600V V(ceo): 450V V(cex): 600V V(ebo): 6V 30A 200W silicon NPN triple diffused transistor. For high power swi...
Информация о заказе
Срок поставки
от 7 дней
Доступные цены
MG30G6EL2 от Toshiba — купить с доставкой по России в МДИКАМ-ЭК
В каталоге МДИКАМ-ЭК представлен электронный компонент MG30G6EL2 производителя Toshiba.
V(cbo): 600V V(ceo): 450V V(cex): 600V V(ebo): 6V 30A 200W silicon NPN triple diffused transistor. For high power swi...
Для заказа MG30G6EL2 укажите необходимое количество и требования к партии. Специалисты МДИКАМ-ЭК уточнят актуальную стоимость, доступность и возможные сроки поставки.
При подготовке заказа мы можем помочь:
- Уточнить условия поставки и стоимость в зависимости от объёма
- Проверить доступные варианты упаковки
- Рассмотреть возможность подбора аналога при наличии технических требований
Для подтверждения технических характеристик рекомендуем использовать документацию производителя.
Отправьте запрос на MG30G6EL2 через форму сайта или свяжитесь с менеджерами МДИКАМ-ЭК. Мы подготовим предложение с учётом требований к заказу.
Информация носит справочный характер и не является публичной офертой.
